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日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命
測量目標
單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）
測量尺寸
[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm
測量范圍
0.1μS至1,000μS
（要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）
<測量激光單元>類型：半導體激光二極管，
波長：905 nm（對于晶片）/ 1,000 nm（對于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS
測量目標
單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）
測量尺寸
[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm
測量范圍
0.1μS至1,000μS
（要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）
<測量激光單元>類型：半導體激光二極管，
波長：905 nm（對于晶片）/ 1,000 nm（對于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS
